内容简介
《晶体管原理与设计》全面系统地介绍半导体器件基本方程、PN结二极管、双极结型晶体管(BJT)和绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)的基本原理和工作特性，包括直流、功率、频率、开关、噪声等特性，以及器件的SPICE模型。《晶体管原理与设计》还介绍双极晶体管的设计方法和制造中的问题，并附有各种图表以供参考。书中提供大量习题，供读者巩固及加深对所学知识的理解。 《晶体管原理与设计》适合作为高等学校“电子科学与技术”、“集成电路设计与集成系统”、“微电子学”等本科专业相关课程的教材，也可供其他相关专业本科生、研究生和工程技术人员阅读参考。
作者简介
陈星弼（1931年1月28日—2019年12月4日），出生于上海，祖籍浙江浦江，中国微电子学家，中国科学院院士，主要从事新型功率器件及其集成电路等领域的研究。他是国民党要人陈德征之子。 == 生平 == 陈星弼于1952年毕业于同济大学电机系。此后曾任职于厦门大学、南京工学院、中国科学院应用物理研究所。1956年起任教于成都电讯工程学院（现为电子科技大学）。1980年前往美国，先后在俄亥俄州立大学、伯克利加州大学担任访问学者。
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